출처

• https://www.samsungsemiconstory.com/1992
• https://en.wikipedia.org/wiki/Magnetoresistive_random-access_memory

간단 요약

• 자성체 소자를 이용한 비휘발성 메모리, Flash Memory 대비 쓰기 속도가 약 1000배 빠르고 전력 소모가 적은 특징이 있다.

위키피디아 번역

• 일반적인 RAM chip 기술과는 다르게, MRAM은 데이터를 전기 충전이나 흐름으로 저장하지 않고 자기 저장 요소를 사용한다. 이 자기 저장 요소는 2가지 강자성 판들로 구성되며, 각자 자기화 되어 있으며 얇은 절연판에 의해 분리되어 있다. 한 판은 영구적으로 구성되어 있으며, 다른 한판은 메모리를 저장하기 위한 외부 장에 맞추어 바뀌게 된다. 이런 설정은 magnetic tunnel junction 으로 널리 알려져 있으며 MRAM bit 의 가장 간단한 구조이다. … 생략

다른 시스템들과의 비교

• Density(밀도)
• Power consumption
• Data retention
• Speed
• Endurance
• Overall